减压条件下的流动气体环境已用于低压化学蒸发淀积、减压外延和几种等离子体工艺过程。所有这些工艺的共同环节是抽除有害

气体。机械泵和罗茨泵很适用于维持10至104Pa范围的动态压强。在低压化学蒸发淀积和等离子体工艺过程中，通过反应室的气流

主要用来连续补充在生长或蚀刻过程中所消耗掉的反应剂。例如，在每批100片直径76mm的基片的两面上以20 nm/min的生长速率

来生长膜层的多晶硅淀积时，通常要求300Pa·L/s的流量。气体的消耗率和基片的数最、真空室的面积、膜层的生长速率和气体

反应剂的稀释度与消耗量有关。

在某些商用减压外延工艺中，大的气流量稀释反应剂以进行生长而不是蚀刻。在低压强下外延硅时，300Pa·L/s的反应剂气体流

通常需要用105Pa·L/s左右的氢气来进行稀释，并流过103至104帕压强的反应室。减压外延是一个相当新的技术，对于工艺过程

的主要部分将保持这样大小的载气流量这一点是不清楚的。